Estudo de Parâmetros Analógicos de Transistores SOI MOSFET de Canal Gradual Submicrométricos

Autores

  • Bruna Cardoso Paz Centro Universitário da FEI
  • Michelly de Souza Centro Universitário da FEI
  • Marcelo A. Pavanello Centro Universitário da FEI

Palavras-chave:

transistores, canal gradual, desempenho

Resumo

O desempenho de transistores SOI de canal gradual (GC) em aplicações analógicas está profundamente relacionado ao desenvolvimento da tecnologia na área da microeletrônica. Superar este desafio requer aperfeiçoar o conhecimento dos parâmetros que caracterizam o dispositivo e confirmar se seu desempenho permanece superior aos transistores uniformemente dopados. O presente estudo traz uma comparação entre transistores SOI submicrométricos convencionais (uniformemente dopados) e GC SOI nMOSFETs com diferentes comprimentos de canal e razão LLD/L. A tensão de limiar, inclinação de sublimiar, máxima transcondutância, condutância de saída, ganho intrínseco de tensão e freqüência de ganho unitário foram usados para esta análise.

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Biografia do Autor

Bruna Cardoso Paz, Centro Universitário da FEI

Departamento de Engenharia Elétrica

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Publicado

2013-01-28

Edição

Seção

Concepção de Circuitos e Sistemas Integrados